ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР
Перед современной микроэлектроникой стоят проблемы повышения степени интеграции, уменьшения потрeбляемой мощности и размеров элементов разpaбатываемых интегральных схем (ИС), поэтому важно знать физические ограничения, накладываемые на процессы их изготовления. В связи с этим проблема исследования технологических процессов и предельных параметров при изготовлении ИС является важной и актуальной.
Для выявления физических ограничений и выработки требований к материалам, на основе которых изготавливаются ИС, были изучены физические основы таких процессов изготовления ИС, как оксидирование, литография, диффузия примесей и эпитаксия; проведены экспериментальные исследования образцов эпитаксиальных структур, на основе которых изготавливают ИС и оценочные расчёты предельных параметров процессов изготовления ИС.
Исследование процесса окисления кремниевых пластинок показало, что для выращивания пленок в атмосфере сухого кислорода, имеющих более совершенную структуру, требуются значительной затраты времени. Быстрее происходит выращивание пленки во влажном кислороде, но эти пленки получаются пористыми, с проколами. Поэтому наиболее выгодно использовать комбинированный метод окисления, который сочетает в себе преимущества этих двух методов, пленки получаются прочные, нужной толщины (от 0,2 до 1,2 мкм) за оптимальный промежуток времени.
В связи с этим одним из основных параметров SiO2 является величина напряжения, при котором наступает пробой. Зондовым методом определили значение пробивного поля окисной пленки, получили примерно 0,4 МВ*см-1, что соответствует пробою в дефектном месте.
При фотолитографии по ряду причин существует ограничение на минимальный размер изображении, которое можно получить этим методом. Проведенная оценка теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при различных видах литографии показывает, что рентгенолитография отличается большей разрешающей способностью, чем фотолитография. Получили, что λ=300 нм теоретически можем получить линию толщиной 0,2 мкм. Сегодня осуществляется переход к EUV-литографии (λ=13 нм), что делает возможной печать линий гораздо меньшей ширины - до 30 нм.
Данная работа посвящена обоснованию несостоятельности современных путей решения вопроса о природе времени. Авторами показана абстpaктность этих подходов, а также подчеркивается, что при создании научных теорий, описывающих материю, присутствует идеализация времени. Необходимо отметить, что в процессе решения данного вопроса нельзя забывать о сущности материи. До тех пор пока не будет понимания сущности материи, не будет понимания и природы времени. Поэтому авторы предлагают не создавать отдельных гипотез природы времени, а направить силы на понимание сущности материи. Для этого необходимо рассмотреть в более широком аспекте саму материю и те типичные процессы, в которые она включается. Только через решение вопроса о сущности материи можно прийти к пониманию природы времени. ...
27 04 2024 9:45:58
Статья в формате PDF 125 KB...
26 04 2024 3:20:13
Статья в формате PDF 111 KB...
25 04 2024 10:45:43
Статья в формате PDF 253 KB...
24 04 2024 15:20:12
Статья в формате PDF 298 KB...
23 04 2024 5:43:52
Статья в формате PDF 227 KB...
22 04 2024 20:38:24
21 04 2024 12:33:20
Статья в формате PDF 153 KB...
19 04 2024 1:57:27
Статья в формате PDF 107 KB...
18 04 2024 2:15:50
Статья в формате PDF 126 KB...
17 04 2024 18:33:21
Статья в формате PDF 100 KB...
16 04 2024 18:32:12
Статья в формате PDF 100 KB...
15 04 2024 11:53:29
Статья в формате PDF 245 KB...
14 04 2024 17:58:20
Статья в формате PDF 256 KB...
13 04 2024 17:34:54
Статья в формате PDF 107 KB...
12 04 2024 8:51:34
Статья в формате PDF 118 KB...
11 04 2024 3:39:18
Статья в формате PDF 111 KB...
10 04 2024 22:54:22
Статья в формате PDF 233 KB...
09 04 2024 23:59:15
Изучен химический состав нетрадиционного инулинсодержащего сырья Scorzonera hispanica L. и Tragopogon porrifolius L. Получены полисахаридные концентраты и установлена их антибактериальная и гипогликемическая активности. Прогнозируется их использование в качестве лечебно-профилактических комплексов. ...
06 04 2024 20:17:40
Профилактика респираторных инфекций у детей раннего возраста на современном этапе включает воздействие на местные факторы защиты входных ворот инфекции. Исследовано 48 детей с ОРВИ, 27 с менингококковой инфекцией и 24 с коклюшем в возрасте до 15 месяцев включительно в острый период заболевания и период реконвалесценции. Контрольную группу составили 38 детей того же возраста. Бактериологическими и микроскопическими методами исследования обнаружены изменения в микробиоте слизистой ротоглотки, связанные преимущественно с ростом кандидозной микрофлоры. Наибольшие количественные показатели роста микобиоты в десятки раз выявлены при ОРВИ, тогда как при менингококковой инфекции при условии массивной антибактериальной терапии рост грибковых клеток был умеренным. Коклюш сопровождается на фоне значительных деструктивных процессов в эпителии ротоглотки незначительным ростом грибковой микробиоты. ...
05 04 2024 7:47:41
Статья в формате PDF 113 KB...
04 04 2024 18:22:56
Статья в формате PDF 339 KB...
03 04 2024 19:35:58
Статья в формате PDF 365 KB...
02 04 2024 0:16:59
Статья в формате PDF 261 KB...
01 04 2024 2:48:13
Статья в формате PDF 102 KB...
31 03 2024 9:46:11
Статья в формате PDF 298 KB...
29 03 2024 7:45:12
Статья в формате PDF 297 KB...
27 03 2024 16:43:30
Статья в формате PDF 193 KB...
26 03 2024 7:29:34
Статья в формате PDF 107 KB...
25 03 2024 2:37:41
Статья в формате PDF 131 KB...
23 03 2024 3:27:36
В работе представлен анализ данных литературы и собственных клинико–лабораторных обследований пациенток с дисфункциональными маточными кровотечениями и подтвержденным диагнозом гиперплазии эндометрия, позволивший дать оценку эпидемиологической ситуации, а также состояния вопроса о классификации и патоморфологической хаpaктеристике различных видов гиперпластических процессов эндометрия. ...
22 03 2024 1:44:41
21 03 2024 10:50:10
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::